Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении
Вантажиться...
Дата
2010
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна
Анотація
Представлены результаты исследования процессов формирования пленок гексаферрита Ва и Bi-Gd граната методами ионно-лучевого осаждения на подложки галлий - гадолиниевого граната. В результате ионно-лучевого осаждения по данным мессбауэровской спектроскопии конверсионных электронов на поверхности подложек образуются аморфные парамагнитные пленки гексаферрита Ва, которые переходят в магнитоупорядоченное состояние при термическом отжиге. Фазовый состав неоднороден по толщине пленок. Осаждение пленок висмут - гадолиниевого граната также связано с образованием аморфных парамагнитных пленок и последующей кристаллизацией магнитоупорядоченных пленок при термическом отжиге и ионной имплантации. Наиболее эффективна ионная имплантация ионов Не+ с энергией 26 кэВ и дозой Ф=2,25∙1014 см-2, которая приводит к повороту оси легкого намагничивания в плоскость пленки.The results of research of processes of forming of films of Ba – hexaferrite and Bi-Gd garnet obtained by the methods of ion-beam deposition on of gadolinium- gallium garnets are presented. As a result of an ion-beam deposition from data of Mossbauer spectroscopy of conversion electrons the amorphous paramagnetic films of Ba – hexaferrite are formed. Phase composition is inhomogeneous on the thickness of tapes. The ion-beam deposition Ba – hexaferrite films resulted to formation of amorphous paramagnetic layers which transformed into magnetic ordering state under thermal ageing. The deposition of bismuth – gadolinium garnet films also conducted with formation of amorphous paramagnetic layers and later crystallization of magnetic ordering films under thermal ageing and ion implantation. The ion implantation of Не+ ions with energy E=26 keV and fluence Ф=2,25∙1014 сm-2 is the most effective and therefore rotated the axis of easy magnetization into film plane. Представлені результати дослідження процесів формування плівок гексаферриту Ва і Bi-Gd гранату методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. В результаті іонно-променевого осадження за даними месбауерівської спектроскопії конверсійних електронів на поверхні підкладок утворюються аморфні парамагнітні плівки гексаферриту Ва, котрі переходять у магнітно впорядкований стан при термічному відпалі. Фазовий склад неоднорідний по товщині плівок. Осадження плівок вісмут- гадолиниевого граната також пов'язане з утворенням аморфних парамагнітних плівок і наступною кристалізацією магнітовпорядкованих плівок при термічному відпалі й іонної імплантації. Найбільш ефективна іонна імплантація іонів Не+ з енергією 26 кэв і дозою Ф=2,25∙1014 см-2, що приводить до повороту осі легкого намагнічювання у площину плівки.
Опис
Ключові слова
тонкие пленки, элементный и фазовый состав, гексаферрит Ва, Bi-Gd гранат, спектроскопия, thin films, conversion electron Mossbauer spectroscopy, spectrometry of Rutherford backscattering, element and phase composition
Бібліографічний опис
Кириченко В.Г. Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении / В.Г. Кириченко, О.В. Коваленко // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2010. – № 899. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(46). – С. 93 - 98