Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении

dc.contributor.authorКириченко, В.Г.
dc.contributor.authorКоваленко, О.В.
dc.date.accessioned2011-10-10T07:46:56Z
dc.date.available2011-10-10T07:46:56Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования процессов формирования пленок гексаферрита Ва и Bi-Gd граната методами ионно-лучевого осаждения на подложки галлий - гадолиниевого граната. В результате ионно-лучевого осаждения по данным мессбауэровской спектроскопии конверсионных электронов на поверхности подложек образуются аморфные парамагнитные пленки гексаферрита Ва, которые переходят в магнитоупорядоченное состояние при термическом отжиге. Фазовый состав неоднороден по толщине пленок. Осаждение пленок висмут - гадолиниевого граната также связано с образованием аморфных парамагнитных пленок и последующей кристаллизацией магнитоупорядоченных пленок при термическом отжиге и ионной имплантации. Наиболее эффективна ионная имплантация ионов Не+ с энергией 26 кэВ и дозой Ф=2,25∙1014 см-2, которая приводит к повороту оси легкого намагничивания в плоскость пленки.The results of research of processes of forming of films of Ba – hexaferrite and Bi-Gd garnet obtained by the methods of ion-beam deposition on of gadolinium- gallium garnets are presented. As a result of an ion-beam deposition from data of Mossbauer spectroscopy of conversion electrons the amorphous paramagnetic films of Ba – hexaferrite are formed. Phase composition is inhomogeneous on the thickness of tapes. The ion-beam deposition Ba – hexaferrite films resulted to formation of amorphous paramagnetic layers which transformed into magnetic ordering state under thermal ageing. The deposition of bismuth – gadolinium garnet films also conducted with formation of amorphous paramagnetic layers and later crystallization of magnetic ordering films under thermal ageing and ion implantation. The ion implantation of Не+ ions with energy E=26 keV and fluence Ф=2,25∙1014 сm-2 is the most effective and therefore rotated the axis of easy magnetization into film plane. Представлені результати дослідження процесів формування плівок гексаферриту Ва і Bi-Gd гранату методами іонно-променевого розпилення на підкладках галлій-гадолінієвого граната. В результаті іонно-променевого осадження за даними месбауерівської спектроскопії конверсійних електронів на поверхні підкладок утворюються аморфні парамагнітні плівки гексаферриту Ва, котрі переходять у магнітно впорядкований стан при термічному відпалі. Фазовий склад неоднорідний по товщині плівок. Осадження плівок вісмут- гадолиниевого граната також пов'язане з утворенням аморфних парамагнітних плівок і наступною кристалізацією магнітовпорядкованих плівок при термічному відпалі й іонної імплантації. Найбільш ефективна іонна імплантація іонів Не+ з енергією 26 кэв і дозою Ф=2,25∙1014 см-2, що приводить до повороту осі легкого намагнічювання у площину плівки.en
dc.identifier.citationКириченко В.Г. Формирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осаждении / В.Г. Кириченко, О.В. Коваленко // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2010. – № 899. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(46). – С. 93 - 98en
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/4733
dc.language.isoruen
dc.publisherХаркiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiнаen
dc.subjectтонкие пленкиen
dc.subjectэлементный и фазовый составen
dc.subjectгексаферрит Ваen
dc.subjectBi-Gd гранатen
dc.subjectспектроскопияen
dc.subjectthin filmsen
dc.subjectconversion electron Mossbauer spectroscopyen
dc.subjectspectrometry of Rutherford backscatteringen
dc.subjectelement and phase compositionen
dc.titleФормирование тонких пленок ферритов при ионнолучевом осажденииen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
899_2(46)_10_p93-98.pdf
Розмір:
338.38 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: