Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізико-технічний факультет >
Наукові роботи. Фізико-технічний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/3857

Название: Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
Авторы: Стервоедов, А.Н.
Ключевые слова: нитрид хрома
оксинитрид хрома
наноразмерные пленки
ионно-стимулированное осаждение
рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
РФЭС
Дата публикации: 2009
Издатель: Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Библиографическое описание: Стервоедов А.Н. Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения / А.Н. Стервоедов // Фізична інженерія поверхні. – 2009. – Том 7, № 3. – С. 210 – 215
Реферат: В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновременно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 С приводит к формированию градиентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометрическому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увеличением глубины. У роботі представлені результати дослідження розподілу елементного складу і хімічного стану по глибині в нанорозмірних плівках Cr-O-N, отриманих методом іонно-стимулюючого осадження. Методами оже-електронної і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії показано, що осадження хрому з парової фази одночасно з опромінюванням зростаючої плівки іонами азоту з енергією 30 кеВ і щільність струму j = 20 мкА/см2, при температурі підкладки Т = 200 С приводить до формування градієнтної структури з переходом по глибині плівки від металевого Cr до стехиометрічеському CrN з виділеннями Cr2N і Cr2O3, концентрація яких зменшується із збільшенням глибини. In work the results of research of elements and chemical state depth distribution in nanoscaled Cr-O-N films obtained by ion-beam assisted deposition are presented. By methods of Auger-electron and X-ray photoelectron spectroscopy it was shown that the electron beam deposition of chromium under simultaneous irradiation of growing film by nitrogen ions with 30 keV energy and current density j = 20 A/cm2 at the substrate temperature T = 200 С leads to formation of gradient structure with the transition throughout the film depth from metal Cr to stoichiometric CrN with the Cr2N and Cr2O3 inclusions, concentration of which decreases with the depth increasing.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/3857
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізико-технічний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
09steras.pdf265,93 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь