Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs

dc.contributor.authorГладких, Н.Т.
dc.contributor.authorГребенник, И.П.
dc.contributor.authorДукаров, С.В.
dc.date.accessioned2016-01-17T13:26:44Z
dc.date.available2016-01-17T13:26:44Z
dc.date.issued1997
dc.description.abstractПриводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni— GaAs в зависимости от температуры при конденсации Ni на GaAs. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при взаимодействии слоев Ni и GaAs, так и от соотношения между массами слоев Ni и GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Наводяться результати електронографічного дослідження фазового складу двошарових плівок Ni— GaAs в залежності від температури при конденсації Ni на GaAs. Покачано, що структура та число фаз, що утворюються, залежать як від температурних умов при взаємодії шарів Ni і GaAs, так і від співвідношення між масами шарів Ni і GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . The electronographic studies of double layer Ni — GaAs films’ phase content against the temperature with Ni layer deposited on GaAs substrate are given. The structure and the number of phases formed are shown to be dependent both on the temperature conditions under which Ni and GaAs layers interact and on the Ni to GaAs mass ratio: (0.5; 1; 2).ru_RU
dc.identifier.citationГладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В. Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs // Металлофизика и новейшие технологии. – 1997. – Т. 19, № 6. – С. 66–73ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11128
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectgallium arsenideru_RU
dc.subjectelectron diffractionru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleЭлектронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAsru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
MF1997.pdf
Розмір:
531.9 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: