Моделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-me

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКутний, Д.В.
dc.contributor.authorКутний, В.Е.
dc.contributor.authorРыбка, А.В.
dc.contributor.authorШляхов, И.Н.
dc.contributor.authorЗахарченко, А.А.
dc.contributor.authorКутний, К.В.
dc.contributor.authorВеревкин, А.А.
dc.date.accessioned2011-10-27T08:40:47Z
dc.date.available2011-10-27T08:40:47Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractВ работе рассмотрены особенности формирования барьерных контактов на высокоомном полупроводниковом соединении CdZnTe p-типа для создания детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Предложена эквивалентная электрическая схема структуры металл-полупроводник-металл, позволяющая моделировать различные типы и варианты контактов. На основе структур Au-CdZnTe-In созданы детекторы для регистрации низкоэнергетического гамма-излучения, характеризующиеся малыми токами утечки ~ 1,5 нА при напряжении смещения 100 В. The features of barrier contact forming on high-resistance semiconductor compound CdZnTe p-type for making detectors X- and gamma-irradiations were reviewed. Efficiencies of gamma-irradiation registration in a wide power range by CdZnTe crystals of different thickness were estimated. The equivalent circuitry of a MSM structure is offered, allowing to simulate various types and variants of electrodes. On the basis of Au-CdZnTe-In structure was created detectors for detecting low-energy gamma-irradiation, characterized by small leakage current 1,5 nA at a bias voltage 100 V.en
dc.identifier.citationМоделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-me / Д.В. Кутний, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов, А.А. Захарченко, К.В. Кутний, А.А. Веревкин // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2007. – № 777. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(34). – С. 73 - 78en
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/4900
dc.language.isoruen
dc.publisherХаркiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiнаen
dc.subjectCdZnTeen
dc.subjectdetectoren
dc.subjectgamma-irradiationen
dc.subjectvoltage-current characteristicen
dc.subjectcontacten
dc.subjectmetal-semiconductor-metal structureen
dc.subjectCdZnTeen
dc.subjectдетекторen
dc.subjectгамма-излучениеen
dc.subjectвольт-амперная характеристикаen
dc.subjectконтактen
dc.subjectструктура металл-полупроводник-металлen
dc.titleМоделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-meen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
777_2(34)_07_p73-78.pdf
Розмір:
328.26 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові роботи. Навчально-науковий інститут "Фізико-технічний факультет"