Энергетические и частотные характеристики диодов ганна на основе Al1-Xinxn при их работе в резонаторе сложной формы

dc.contributor.authorАркуша, Ю.В.
dc.contributor.authorПискун, А.А.
dc.contributor.authorСтороженко, И.П.
dc.date.accessioned2012-12-02T22:19:23Z
dc.date.available2012-12-02T22:19:23Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractПриведены результаты исследования энергетических и частотных характеристик диодов Ганна на основе Al1-xInxN для различных значений концентраций примесей в активной области при их работе в двухконтурном резонаторе. Показано, что использование напряжения сложной формы приводит к увеличению эффективности генерации на основной гармонике по сравнению с работой в одноконтурном резонаторе. Увеличение концентрации примесей в активной области приводит к увеличению эффективности генерации как на первой, так и на второй гармонике. За счет эффективной работы на второй гармонике появляется возможность получения генерации до частот субмиллиметрового диапазона.en
dc.identifier.citationВестникen
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7199
dc.language.isoruen
dc.publisherХарьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразинаen
dc.relation.ispartofseriesРадиофизика та электроника;927
dc.subjectдиод Ганнаen
dc.subjectдипольные доменыen
dc.subjectзаряженные слоиen
dc.subjectпролетная частотаen
dc.subjectэффективность генерацииen
dc.titleЭнергетические и частотные характеристики диодов ганна на основе Al1-Xinxn при их работе в резонаторе сложной формыen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
927-17.pdf
Розмір:
267.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: