Активні напівпровідникові планарні елементи субміліметрового та терагерцового діапазонів

Вантажиться...
Ескіз

Дата

2023

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Харків : Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна

Анотація

Тема дисертації обумовлена розвитком технологій пов’язаних з використанням високочастотного випромінювання в області субміліметрових та терагерцових хвиль та розробкою терагерцових систем. Інтерес до таких систем постійно зростає, що обумовлено унікальними характеристиками терагерцового випромінювання. Серед найбільш цінних функцій, які ефективно можуть бути реалізовані в терагерцовому діапазоні, можна відзначити неінвазійний і безруйнівний контроль, військові системи, засоби безпеки, медицина та збереження здоров’я, матеріалознавство та обробну промисловість. Найбільший прогрес у використанні терагерцових хвиль передбачається в системах формування зображення та безпровідної передачі даних, зокрема ближнього радіусу дії, в яких завдяки використанню терагерцового випромінювання зростає об’єм інформації, що передається, та швидкість передачі даних. Практичне широке застосування таких систем в значній мірі пов’язане з потребою в мініатюрних (що можуть стати, наприклад, елементом мобільного телефону) джерел, випромінювачів та приймачів терагерцового діапазону.
The aim of the dissertation is due to the development of technologies related to the use of high-frequency radiation in the field of submillimeter and terahertz waves and the development of terahertz systems. Interest in such systems is constantly growing due to the unique properties of terahertz radiation. Among the most valuable functions that can be effectively implemented in the terahertz range are non-invasive and non-destructive control, military and security systems, medicine and healthcare, materials science, and defense systems. The greatest progress in the use of terahertz waves is expected in imaging and wireless data transmission systems, in particular, short-range systems, where the use of terahertz radiation increases the amount of transmitted information and data transmission rate. The practical widespread use of such systems is largely due to the need for miniature transmitters (for example, a cell phone element) and receivers that can operate in the terahertz range.

Опис

Ключові слова

NATURAL SCIENCES, планарна діодна структура, бічний активний елемент, нестійкості струму, напруженість електричного поля, ефективність генерації, резонансно-тунельна структура, варізонний шар, ударна іонізація, розсіяння, мікрохвилі, наноструктури, терагерцовий діапазон, моделювання, ефект міждолинного переносу електронів, резонатор, planar diode structure, lateral active element, current instabilities, electric field strength, generation efficiency, resonant tunnel structure, graded layer, impact ionization, scattering, microwave, nanostructures, terahertz range, simulation, transfer electron effect, resonator

Бібліографічний опис

Зозуля Валерій Олександрович. Активні напівпровідникові планарні елементи субміліметрового та терагерцового діапазонів : дис. ... д-ра філософії : 105 – Прикладна фізика та наноматеріали (Галузь знань 10 – Природничі науки / В.О. Зозуля. – Харків : Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, 2023. – 197 с.

Зібрання