Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛевченко, А.Н.
dc.date.accessioned2012-12-02T22:06:54Z
dc.date.available2012-12-02T22:06:54Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractИсследована зависимость удельной электропроводности монокристаллов KD2PO4 (DKDP) от дозы gamma-облучения. Установлено, что в интервале доз 3.0 102ч2.8 104 Гр происходит экспоненциальное уменьшение электропроводности. Температурные зависимости электропроводности подчиняются экспоненциальному закону. Определены значения предэкспоненциального фактора и энергии активации электропроводности для кристаллов, облучѐнных различными дозами. Анализ дозовых и температурных зависимостей показывает, что радиационно-индуцированное уменьшение величины электропроводности связано с уменьшением концентрации L-дефектов в кристаллах. Изменение концентрации происходит в соответствии с законом кинетики первого порядка. Обсуждаются возможные механизмы изменения концентрации L-дефектов при gamma-облучении кристаллов.en
dc.identifier.citationВестникen
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/7197
dc.language.isoruen
dc.publisherХарьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразинаen
dc.relation.ispartofseriesРадиофизика та электроника;927
dc.subjectмонокристаллы DKDPen
dc.subjectудельная электропроводностьen
dc.subjectконцентрация L-дефектовen
dc.subjectgamma -облучениеen
dc.subjectкинетика первого порядкаen
dc.titleКинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облученииen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
927-15.pdf
Розмір:
649.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.9 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові роботи. Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем