Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБогатыренко, С.И.
dc.contributor.authorГладких, Н.Т.
dc.contributor.authorДукаров, С.В.
dc.contributor.authorКрышталь, А.П.
dc.date.accessioned2016-01-31T17:06:19Z
dc.date.available2016-01-31T17:06:19Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПриведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке. . . . . . . . . Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системі знижується зі зменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці. . . . . . . . . The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.ru_RU
dc.identifier.citationБогатыренко С.И., Гладких Н.Т., Дукаров С.В., Крышталь А.П. Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi. Физическая инженерия поверхности. – 2004. – Т. 2, № 1-2. С. 32–36ru_RU
dc.identifier.urihttps://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/11153
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectThin filmsru_RU
dc.subjectcrystallizationru_RU
dc.subjectmeltingru_RU
dc.subjectsize effectru_RU
dc.subjectResearch Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfacesru_RU
dc.titleПлавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Biru_RU
dc.title.alternativeMelting and crystallization in layered film system Ge-Biru_RU
dc.typeArticleru_RU

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
PSE2004.pdf
Розмір:
361.95 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові роботи. Фізичний факультет