Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізичний факультет >
Наукові видання. Фізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/9094

Название: Crossover from dirty to clean superconducting limit in dc magnetron-sputtered thin Nb films
Авторы: Dobrovolskiy, Oleksandr V.
Huth, Michael
Ключевые слова: Epitaxial Nb films DC magnetron sputtering Clean and dirty superconducting limits Critical temperature Residual resistivity
Дата публикации: 11-Май-2012
Издатель: Elsevier
Библиографическое описание: Thin Solid Films 520 (2012) 5985–5990
Реферат: High-quality Nb (110) thin films with residual resistance ratios up to 60 and critical temperatures Tc≈9.27 K have been prepared by conventional dc-magnetron sputtering on α-Al2O3 by careful selection of the sputtering conditions. This allowed for a systematic study of the influence of the growth rate on the structural quality and the superconducting properties of the films. The optimized growth conditions were revealed at the substrate temperature Ts=850 °C, Ar pressure Ps=0.4 Pa, and the growth rate g≃0.5 nm/s. The results of the films' structural characterization by X-ray diffraction, reflection high-energy electron diffraction, and atomic force microscopy are presented. In terms of the electron mean free path l and the superconducting coherence length ξ, deduced from the magneto-resistivity data, the clean superconducting limit (l>ξ) is realized in the high-purity films. For comparison, in impure Nb films sputtered at room temperature while keeping the rest of the sputtering parameters unvaried, the opposite dirty limit (ξ≳l) ensues. The merits of these findings are discussed in the context of the demands of present-day fluxonics devices regarding the normal-state and flux-flow properties of superconducting films they are made of.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/9094
Располагается в коллекциях:Наукові видання. Фізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
2012_TSF.pdf1,51 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь