Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем >
Наукові роботи. Радіофізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7207

Название: Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
Другие названия: Вольтамперні характеристики і ефективність генерації
Авторы: Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
Ключевые слова: GaAs-диод с туннельной границей
вольтамперные характеристики
эффективность генерации
Дата публикации: 2010
Издатель: Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина
Библиографическое описание: Вестник
Серия/Номер: Радиофизика и электроника;942
Реферат: Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7207
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Радіофізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
942-11.pdf468 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь