Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
Вантажиться...
Файли
Дата
2010
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина
Анотація
Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.
Опис
Ключові слова
GaAs-диод с туннельной границей, вольтамперные характеристики, эффективность генерации
Бібліографічний опис
Вестник