DSpace
[Register]
 

eKhNUIR >
Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем >
Наукові роботи. Радіофізичний факультет >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7152

Название: Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
Другие названия: Імпедансний характеристики планарних діодів з тунельними межами на основі GaAs
Impedance characteristics of planar diodes with tunnel boundaries based on GaAs
Авторы: Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость
туннельная граница
диод
туннелирование
Issue Date: 2011
Издатель: Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
Библиографическое описание: Вестник
Серия/номер: Радиофизика и Электроника;966
Краткий осмотр (реферат): Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7152
Appears in Collections:Наукові роботи. Радіофізичний факультет

Files in This Item:

File Description SizeFormat
3-Prohorov.pdf551,31 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
View Statistics

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright © 2002-2010  Duraspace - Feedback