Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
Вантажиться...
Дата
2011
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
Анотація
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
Опис
Ключові слова
отрицательная дифференциальная проводимость, туннельная граница, диод, туннелирование
Бібліографічний опис
Вестник