Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Факультет радіофізики, біомедичної електроніки та комп’ютерних систем >
Наукові роботи. Радіофізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7152

Название: Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
Другие названия: Імпедансний характеристики планарних діодів з тунельними межами на основі GaAs
Impedance characteristics of planar diodes with tunnel boundaries based on GaAs
Авторы: Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В.
Клименко, О.А.
Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость
туннельная граница
диод
туннелирование
Дата публикации: 2011
Издатель: Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
Библиографическое описание: Вестник
Серия/Номер: Радиофизика и Электроника;966
Реферат: Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7152
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Радіофізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
3-Prohorov.pdf551,31 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь