Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізико-технічний факультет >
Наукові роботи. Фізико-технічний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4900

Название: Моделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-me
Авторы: Кутний, Д.В.
Кутний, В.Е.
Рыбка, А.В.
Шляхов, И.Н.
Захарченко, А.А.
Кутний, К.В.
Веревкин, А.А.
Ключевые слова: CdZnTe
detector
gamma-irradiation
voltage-current characteristic
contact
metal-semiconductor-metal structure
CdZnTe
детектор
гамма-излучение
вольт-амперная характеристика
контакт
структура металл-полупроводник-металл
Дата публикации: 2007
Издатель: Харкiвський нацiональний унiверситет iм. В.Н. Каразiна
Библиографическое описание: Моделирование вольтамперных характеристик детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе структур me-cdznte-me / Д.В. Кутний, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка, И.Н. Шляхов, А.А. Захарченко, К.В. Кутний, А.А. Веревкин // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2007. – № 777. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 2(34). – С. 73 - 78
Реферат: В работе рассмотрены особенности формирования барьерных контактов на высокоомном полупроводниковом соединении CdZnTe p-типа для создания детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Предложена эквивалентная электрическая схема структуры металл-полупроводник-металл, позволяющая моделировать различные типы и варианты контактов. На основе структур Au-CdZnTe-In созданы детекторы для регистрации низкоэнергетического гамма-излучения, характеризующиеся малыми токами утечки ~ 1,5 нА при напряжении смещения 100 В. The features of barrier contact forming on high-resistance semiconductor compound CdZnTe p-type for making detectors X- and gamma-irradiations were reviewed. Efficiencies of gamma-irradiation registration in a wide power range by CdZnTe crystals of different thickness were estimated. The equivalent circuitry of a MSM structure is offered, allowing to simulate various types and variants of electrodes. On the basis of Au-CdZnTe-In structure was created detectors for detecting low-energy gamma-irradiation, characterized by small leakage current 1,5 nA at a bias voltage 100 V.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4900
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізико-технічний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
777_2(34)_07_p73-78.pdf328,26 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь