Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізико-технічний факультет >
Наукові роботи. Фізико-технічний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4717

Название: РФЭС исследование наноразмерных пленок TiNxOy, полученных методом ионно-лучевого распыления
Авторы: Стервоедов, А.Н.
Береснев, В.М.
Ключевые слова: наноразмерные пленки
оксинитрид титана
ионное распыление
рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
РФЭС
nanoscaled films
titanium oxinitride
ion beam sputtering
X-ray photoelectron spectroscopy
XPS
Дата публикации: 2010
Издатель: Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
Библиографическое описание: Стервоедов А.Н. РФЭС исследование наноразмерных пленок TiNxOy, полученных методом ионно-лучевого распыления / А.Н. Стервоедов, В.М. Береснев // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2010. – № 887. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 1(45). – С. 104 – 109
Реферат: В работе представлены результаты исследования с использованием метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноразмерных пленок TiNxOy толщиной  5 нм, полученных на кремнии методом слаботочного ионно-лучевого распыления. Показана возможность использования РФЭС с угловым разрешением для определения толщины и сплошности полученных ультратонких пленок. Детально показано влияние температуры подложки во время ионно-лучевого синтеза и температурного отжига на химическое состояние и диффузионные свойства структур Ti-O-N/Si. The results of studies using X-ray photoelectron spectroscopy of nanoscaled films TiNxOy thickness of about 5 nm, obtained on silicon by low-current ion beam sputtering are presented in given work. Also it is shown the possibility of using angle-resolved XPS to determine the thickness and continuity of the obtained ultra-thin films. The effect of substrate temperature during ion beam synthesis and thermal annealing on the chemical state and the diffusion properties of the structures Ti-O-N/Si is shown in details.У роботі представлені результати дослідження з використанням методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії нанорозмірних плівок TiNxOy товщиною  5 нм, отриманих на кремнії методом слаботочного іонно-променевого розпилення. Показано можливість використання РФЕС з кутовим дозволом для визначення товщини і суцільності отриманих ультра тонких плівок. Детально показано вплив температури підкладки під час іонно-променевого синтезу та температурного відпалу на хімічний стан і дифузійні властивості структур Ti-O-N/Si.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4717
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізико-технічний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
887_1(45)_10_p104-109.pdf3,04 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь