Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізико-технічний факультет >
Наукові роботи. Фізико-технічний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/1699

Название: Applying RF current harmonics for end-point detection during etching multi-layered substrates and cleaning discharge chambers with NF3 discharge
Авторы: Lisovskiy, Valeriy
Booth, Jean-Paul
Landry, Karine
Douai, David
Cassagne, Valerick
Yegorenkov, Vladimir
Ключевые слова: plasma physics
gas discharges
Дата публикации: Ноя-2007
Издатель: www.elsevier.com/locate/vacuum
Библиографическое описание: Vacuum 82 (2008) 321–327
Серия/Номер: ;doi:10.1016/j.vacuum.2007.04.035
Реферат: The present paper reports the results of studying the characteristics of the etching process of multi-layered materials (Si3N4/SiO2/Si and SiO2/Si) and of cleaning technological chambers covered with silicon nitride films (Si3N4) in a NF3 RF capacitive discharge. The process of chamber cleaning was monitored with a mass spectrometer. The gas pressure, RF voltage amplitude, current–voltage phase shift, ohmic current as well as the second harmonic of the RF current were also recorded. The opportunity of using these parameters for end-point detection of etching and plasma cleaning is discussed. It is found that the second harmonic of the RF current may be successfully used for end-point detection of multi-layered materials etching and to monitor the cleaning process of technological chambers. The cleaning of chambers of complicated design may possess a double-stage pattern.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/1699
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізико-технічний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
Vacuum_2008_Etching_Cleaning_NF3.pdf422,7 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь