Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізичний факультет >
Наукові роботи. Фізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11153

Название: Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi
Другие названия: Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi
Авторы: Богатыренко, С.И.
Гладких, Н.Т.
Дукаров, С.В.
Крышталь, А.П.
Ключевые слова: Thin films
crystallization
melting
size effect
Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Дата публикации: 2004
Библиографическое описание: Богатыренко С.И., Гладких Н.Т., Дукаров С.В., Крышталь А.П. Плавление и кристаллизация в слоистой пленочной системе Ge-Bi. Физическая инженерия поверхности. – 2004. – Т. 2, № 1-2. С. 32–36
Реферат: Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке. . . . . . . . . Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системі знижується зі зменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці. . . . . . . . . The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11153
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
PSE2004.pdf361,95 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь