Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізичний факультет >
Наукові роботи. Фізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11149

Название: Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
Другие названия: Phase formation in Ni/GaAs thin film system
Авторы: Дукаров, С.В.
Гребенник, И.П.
Ключевые слова: Thin films
gallium arsenide
crystal structure
Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Дата публикации: 1999
Библиографическое описание: Дукаров С.В., Гребенник И.П. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10) . – С. 97–103
Реферат: Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. . The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed. Also the properties of ordering a g-phase in thin layers under orientation action of the substrate are dealt with
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11149
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
VANT1999.pdf664,85 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь