Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs

Вантажиться...
Ескіз

Дата

1999

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.

Опис

Ключові слова

Thin films, gallium arsenide, crystal structure, Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces

Бібліографічний опис

Дукаров С.В. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs / С.В. Дукаров, И.П. Гребенник // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10). – С. 97–103.