Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs
Вантажиться...
Дата
1997
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Анотація
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni— GaAs в зависимости от температуры при конденсации Ni на GaAs. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при взаимодействии слоев Ni и GaAs, так и от соотношения между массами слоев Ni и GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Наводяться результати електронографічного дослідження фазового складу двошарових плівок Ni— GaAs в залежності від температури при конденсації Ni на GaAs. Покачано, що структура та число фаз, що утворюються, залежать як від температурних умов при взаємодії шарів Ni і GaAs, так і від співвідношення між масами шарів Ni і GaAs (0,5; 1; 2). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
The electronographic studies of double layer Ni — GaAs films’ phase content against the temperature with Ni layer deposited on GaAs substrate are given. The structure and the number of phases formed are shown to be dependent both on the temperature conditions under which Ni and GaAs layers interact and on the Ni to GaAs mass ratio: (0.5; 1; 2).
Опис
Ключові слова
Thin films, gallium arsenide, electron diffraction, Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Бібліографічний опис
Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В. Электронографическое исследование влияния температуры на фазообразование в тонких двухслойных пленках Ni/GaAs // Металлофизика и новейшие технологии. – 1997. – Т. 19, № 6. – С. 66–73