Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs

Вантажиться...
Ескіз

Дата

1992

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

Анотація

Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.

Опис

Ключові слова

Thin films, gallium arsenide, crystal structure, Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces

Бібліографічний опис

Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.