Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізичний факультет >
Наукові роботи. Фізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11126

Название: Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
Авторы: Гладких, Н.Т.
Гребенник, И.П.
Дукаров, С.В.
Зото, М.С.
Сорокина, И.В.
Ключевые слова: Thin films
gallium arsenide
crystal structure
Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Дата публикации: 1992
Библиографическое описание: Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.
Реферат: Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11126
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
MF1992.pdf368,87 kBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь