Архив электронных ресурсов
[Зарегистрироваться]
 

eKhNUIR >
Фізичний факультет >
Наукові роботи. Фізичний факультет >

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11055

Название: Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films
Авторы: Gladkikh, N.T.
Grebennik, I.P.
Dukarov, S.V.
Ключевые слова: Thin films
gallium arsenide
crystal structure
Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Дата публикации: 1998
Библиографическое описание: Gladkikh N.T., Grebennik I.P., Dukarov S.V. Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films // Met. Phys. Adv. Tech. – 1998. – V. 17. – P. 725–734.
Реферат: The results of an electronographic investigation of the Ni—GaAs double-layer films phase composition depending on temperature at condensation of Ni at GaAs are presented. The structure and number of the phases being formed have been shown to depend both on ther-mal conditions at interaction of the Ni and GaAs layers and on the Ni to GaAs layer mass ratio: mNi//mGaAs = (0.5; 1.2).
URI: http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11055
Располагается в коллекциях:Наукові роботи. Фізичний факультет

Файлы этого ресурса:

Файл Описание РазмерФормат
MPAT1998(97)eng.pdf1,05 MBAdobe PDFЭскиз
Просмотреть/Открыть
Просмотр статистики

Все ресурсы в архиве защищены авторским правом, все права сохранены.

 

Valid XHTML 1.0! Яндекс цитирования DSpace Software Copyright   ©   2002-2008   MIT   and   Hewlett-Packard - Обратная связь