Interaction in Ga - AgAu thin film system
Вантажиться...
Дата
1999
Автори
Andronov, V.M.
Grebennik, I.P.
Dukarov, S.V.
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
STC “Institute for Single Crystals”
Анотація
Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . .
Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).
Опис
Ключові слова
Thin films, Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
Бібліографічний опис
Andronov V.M., Grebennik I.P., Dukarov S.V. Interaction in Ga - AgAu thin film system // Functional materials. – 1999. – V. 6, № 4. – P. 658–661.