Наукові роботи. Фізичний факультет

Постійне посилання зібрання

https://ekhnuir.karazin.ua/handle/123456789/30

Переглянути

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Effect of condensation conditions on phase formation in thin two-layer Ni/GaAs films
(STC “Institute for Single Crystals”, 1998) Grebennik, I.P.; Gladkikh, N.T.; Dukarov, S.V.
The temperature and structure state of substrate (NaCl poly- and single crystals) are shown to influence the structure of phases formed as a result of interaction between Ni and GaAs layers. In films on polycrystal substrates, polycrystal phases with structures similar to the γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4 phases in Ni-Ga and Ni-As systems are formed besides the amorphous one. Single crystal substrate exerts an orienting influence resulting in the energetically favourable growth of the hexagonal phase of the triple system with parameters aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'. . . . . . . . . . . . . . . . . . . Показано, что температура и структурное состояние подложки (поли- и монокристаллов NaCl) оказывает влияние на структуру фаз, образующихся при взаимодействии слоев Ni и GaAs. На поликристаллических подложках в пленках, наряду с аморфной, образуются поликристаллические фазы, структура которых подобна фазам γ-, γ'-, NiAs, Ni3Ga4, в системах Ni-Ga, Ni-As. Монокристаллическая подложка оказывает ориентирующее действе и приводит к энергетически более выгодному росту гексагональной фазы тройной системы с параметрами aγ''= aγ', cγ'' = 2cγ'.
Electronographic investigation of the temperature effect on the phase formation in thin double-layer Ni/GaAs films
(1998) Gladkikh, N.T.; Grebennik, I.P.; Dukarov, S.V.
The results of an electronographic investigation of the Ni—GaAs double-layer films phase composition depending on temperature at condensation of Ni at GaAs are presented. The structure and number of the phases being formed have been shown to depend both on ther-mal conditions at interaction of the Ni and GaAs layers and on the Ni to GaAs layer mass ratio: mNi//mGaAs = (0.5; 1.2).
g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system
(STC “Institute for Single Crystals”, 1997) Dukarov, S.V.
When GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . . При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ.
Исследование взаимодействия тонких двухслойных пленок никель–арсенид галлия
(1998) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni-GaAs в зависимости от температуры при конденсации никеля на арсенид галлия. Показано, что структура и число образующихся фаз зависят как от температурных условий при конденсации слоев и соотношения между их толщинами, так и от структурного состояния подложки.
Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
(1999) Дукаров, С.В.; Гребенник, И.П.
Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed.
Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
(1992) Гладких, Н.Т.; Гребенник, И.П.; Дукаров, С.В.; Зото, М.С.; Сорокина, И.В.
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.

Переглянути

Перегляд Наукові роботи. Фізичний факультет за Ключові слова "crystal structure"

Результатів на сторінці

Налаштування сортування